半導体は現在の情報通信社会において不可欠なものとなっており、近年では原子スケールのサイズまで制御されたものになっています。半導体材料の物性制御および作製指針の予測を目的として、第一原理計算と呼ばれる量子力学の基本原理に基づく高精度のシミュレーションおよび原子間ポテンシャルを用いたシミュレーションによる研究を行っています。
原子スケールでのシミュレーションによって得られた結果をもとに新たな半導体材料および作製指針の提案を行います。原子スケールでのシミュレーションの成果から半導体デバイス開発における諸問題を解決できるポテンシャルを秘めています。
原子スケールでのシミュレーションの研究成果から半導体デバイス開発における諸問題が解決でき、本格的な半導体デバイス開発へと波及することが考えられます。また、新たな半導体デバイス創成に向けたプロジェクトへと発展させることも可能です。
GaNの電荷密度分布のシミュレーション結果
欠陥を含むβ相Ga2O3で出現する局在状態
2002 年筑波大学大学院博士課程物理学研究科修了．同年NTT 物性科学基礎研究所リサーチアソシエイト．03 年三重大学工学部物理工学科助手を経て現在三重大学大学院工学研究科准教授.
2000 IUPAP Young Author Best Paper Award of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2001 Award for Encouragement of Research in Materials Science; The Materials Research Society of Japan, 日本結晶成長学会第31回論文賞, 2018年度第79回応用物理学会秋季学術講演会Pos
