助教
研究基盤推進機構
附帯施設
卓越型リサーチセンター
研究分野：
Al, Ga, Inなどの金属元素とNの化合物である窒化物半導体は青色LEDの材料として研究・開発され、その結果生まれた白色LEDは高輝度で省エネルギーな光源として広く普及してきました。
そんな窒化物半導体は原理的にはAl, Ga, Inの組成比を変えることで、紫外から可視・赤外までの光をカバーすることができ、さらにはパワーデバイスにも応用されます。
私たちは窒化物半導体の高品質化によりさらなる性能向上・新規応用を目指しています。
窒化物半導体の中でもAlGaNをベースとしたLEDは、細菌・ウィルスを不活性化できる深紫外光を出すことができます。
私たちの研究室では、高品質なAlN結晶を安価なサファイア基板上に簡便に作製できる「スパッタ・アニール法」という技術を開発してきました。
その結果、細菌・ウィルスの不活性化に特に効果的な波長265 nm帯の深紫外LEDでは、世界最高効率を達成しています。
波長265 nm帯の深紫外LEDはDNAを破壊するという原理上、人体にも有害であるため、人体に照射する必要のない浄水などの応用に使われます。
ユニセフによると、安全な飲み水を飲めない人々は2億人以上存在します。
そんな人々に安全な飲み水を届けるために、深紫外LEDの更なる効率・信頼性の向上を目指します。
また、波長230 nm以下のfar-UVC光は、細菌・ウィルスを不活性化可能かつ人体に無害であることも分かっています。
今後は、我々の技術をfar-UVC LEDにも応用し、安心できるポストコロナ社会の実現を目指します。
2023年3月 京都大学工学研究科電子工学専攻博士後期課程卒業
2023年4月 三重大学工学研究科 特任助教
2023年12月 三重大学研究基盤推進機構 卓越型・リサーチセンター 助教
応用物理学会所属
